    Дни активности клуба |
Дни активности клуба
Ворота в космос
День войск национальной гвардии
TEST
|
Российские разработчики создали новые процессоры архитектуры КОМДИВ
Российские разработчики микроэлектроники завершают работу над созданием четвертого поколения процессоров архитектуры КОМДИВ64. Об этом пишет портал «Техносфера».
В основе отечественных технологий, использующихся в области военной радиоэлектроники, лежат исключительно микросхемы, чипы и процессорные модули российского производства. Применение западных аналогов в столь важной для РФ сфере если не полностью исключено, то сведено к минимуму. Однако важно при этом, чтобы разработки отвечали все современным требованиям и могли решать профильные задачи не только сегодняшнего дня, но и ближайшего будущего.
В конце минувшего года специалисты ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН должны были передать заказчику полностью готовый для установки двухъядерный 64-битный микропроцессор, работающий на техпроцессе 28 нм. При этом этот чип общего назначения, получивший обозначение 1890ВМ118, имеет архитектуру КОМДИВ, которая хорошо совмещается с MIPS64.
Согласно докладу «Модули и ЭВМ семейства «Багет», представленному в апреле 2019 года, разработанный процессор со встроенным 3D-видеоядром найдет применение в «малогабаритных высокопроизводительных бортовых вычислительных машинах». Также стоит добавить, что тактовая частота каждого ядра 1890ВМ118 составляет 1,3 ГГц, а сам чип способен функционировать в диапазоне температур от -60 до +125 градусов по Цельсию.
Ранее сообщалось, что корпорация Ростех создала новые персональные компьютеры. В основу новинки лег отечественный процессор «Эльбрус-1С+».
Автор: Александр Фролов
Новосибирский завод запустил производство нитригалиевых пластин для микроэлектроники
Новосибирский завод «Экран-оптические системы» наладил выпуск нитригалиевых пластин, которые применяются при создании телекоммуникационных систем и мобильных телефонов.
Специализирующееся на производстве электронно-оптических преобразователей для приборов ночного видения предприятие в мае 2018 года совместно с ИФП им А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН объявило о намерении реализовать проект по созданию полупроводниковых гетероструктур, основу которых составляют арсенид и нитрид галлия. Эти материалы, как правило, используются при изготовлении элементов электроники. В перспективе именно у этих структур больше всего шансов стать составными компонентами мощных транзистеров, которые применяются при создании устройств связи. На тот момент стоимость проекта составляла 30 млн евро.
Сегодня можно с уверенностью заявить, что эта инициатива была претворена в жизнь. Новосибирский завод первым в России сумел наладить серийный выпуск компонентов на основе нитрида галлия. Данное соединение будет использоваться при создании активных и пассивных устройств электроннокомпонентной плазмы.
Старт производства позволяет России избавиться от зависимости от Запада в очень важной сфере. Ранее подобные материалы приходилось приобретать за рубежом, и при наличии международных санкций, развитие этой отрасли было для РФ жизненно необходимым.
Автор: Александр Фролов
