Infineon начала производство для 1000-амперных регуляторов напряжения
Infineon Technologies расширила свое семейство чипсетов для сильноточных систем, выпустив первый в отрасли 16-фазный цифровой ШИМ-контроллер XDPE132G5C. Семейство обеспечивает токи от 500 до 1000 А и выше для следующего поколения центральных и графических процессоров, ПЛИС и специализированных микросхем (ASIC), используемых в высокопроизводительных серверах искусственного интеллекта и приложениях передачи данных 5G.
Для удовлетворения возрастающих требований к системам питания средств искусственного интеллекта и сетевого оборудования следующего поколения DC/DC регуляторы напряжения систем виртуальной реальности (ВР) должны отдавать в нагрузку токи более 500 А. Благодаря истинно цифровой 16-фазной схеме ШИМ и усовершенствованному алгоритму контроля переходных процессов, контроллер XDPE132G5C полностью отвечает этим требованиям. Истинно активное распределение токов между фазами обеспечивает надежность, компактность и экономичность конструкции. Кроме того, отпадает необходимость в дополнительных микросхемах удвоителей, обычно применяемые сегодня на рынках многофазных преобразователей.
Используемые в системах связи современные ПЛИС и ASIC требуют управления выходными напряжениями с шагом менее 1 мВ. XDPE132G5C соответствует этому требованию, предоставляя возможность установки выходного напряжения инкрементами по 0.625 мВ. Кроме того, прибор поддерживает требования к автоматическому перезапуску, предъявляемые рынком коммуникационного оборудования, снижая трудоемкость обслуживания удаленных устройств после сбоев питания или системы.
16-фазный контроллер XDPE132G5C выпускается в 56-выводном корпусе QFN размером 7 мм × 7 мм. В нем используется полностью цифровая и программируемая нагрузочная линия и совместимый с PMBus 1.3/AVS интерфейс, предоставляющий всесторонний набор телеметрических функций. В паре с микросхемой TDA21475 - силовым каскадом с самым низким в отрасли тепловым сопротивлением - XDPE132G5C может эффективно управлять нагрузкой до 1000 А.
70-амперный силовой каскад TDA21475 в корпусе размером 5 мм × 6 мм имеет лучший в отрасли КПД, превышающий 95%. Вскрытая верхняя поверхность значительно снижает тепловое сопротивление переход-поверхность с 19 °C/Вт для монолитного корпуса до 1.6 °C/Вт. Это позволяет эффективно отводить тепло от верха корпуса, обеспечивая отличную плотность мощности, оптимальное число фаз и минимальные размеры источников питания систем ВР. В TDA21475 реализована интеллектуальная защита от перегрузки по току и напряжению с возможностью передачи точной информации о температуре и токе контроллеру XDPE132G5C.
Последним прибором нового сильноточного чипсета является 10-фазный цифровой ШИМ-контроллер IR35223. Он предназначен для использования в качестве более дешевой альтернативы для систем питания с токами нагрузки, не превышающими 500 А. IR35223, поставляемый в 48-контактном корпусе QFN размером 6 мм × 6 мм, отличается улучшенной переходной характеристикой и, так же как и 12-фазный контроллер, совместим с шиной PMBus 1.3/AVS.
Сбербанк создал цифрового двойника телеведущей
Сбербанк создал телеведущую новостей на основе технологий искусственного интеллекта. Знакомьтесь, это Елена. Она имитирует речь диктора, эмоции и манеру говорить реального человека.
Елена является новостным телеведущим Сбербанка.
«Цифровой двойник телеведущей» - это совместная разработка Лаборатории робототехники Сбербанка и двух российских компаний: «ЦРТ» обеспечивает опытную систему синтеза речи на основе искусственных нейронных сетей, а компания CGF Innovation комбинирует методы искусственного интеллекта и инструменты создания фотореалистичной компьютерной графики, сообщает пресс-служба банка.
Разработка Сбербанка опережает аналогичные решения, существующие на российском рынке.
«Сейчас никого не удивить полностью виртуальными 3D-моделями, активно применяемыми в таких сферах, как кино и компьютерные игры. Уникальность Елены в том, что она позволяет полностью автоматизировать труд телеведущей: созданный журналистом текст можно оцифровать и получить конечный продукт — новостной сюжет — для трансляции зрителям», - пояснил первый заместитель Председателя Правления Сбербанка Лев Хасис.
Работа над проектом «Елена — цифровой двойник телеведущей» продолжается. Есть несколько направлений его развития: совершенствование качества мимики, добавление эмоций, движений, виртуальной студии, улучшение технических параметров — скорости и разрешения, создание двойников для автономной работы в устройствах.
Посмотреть выпуск новостей с участием Елены по ссылке.
Создано новое устройство памяти
Создано новое устройство памяти, способное работать при высокой температуре.
На поверхности Меркурия в светлое время суток температура может подниматься до отметки в 430 градусов Цельсия. Приблизительно такая же температура, на уровне 462 градусов Цельсия, присутствует на поверхности Венеры, благодаря высокому давлению и плотной атмосфере этой планеты, богатой углекислым газом. И любой космический аппарат, который будет послан на эти "негостеприимные" планеты должен сохранять работоспособность при таких температурах, это касается электронных систем, научных инструментов, датчиков и источников энергии. И это является достаточно сложным делом, самому "долгоживущему" космическому аппарату, советской исследовательской станции Венера-13, опущенной на поверхность Венеры в 1982 году, удалось проработать там всего 127 минут с момента посадки.
Если с созданием высокотемпературной электроники в настоящее время дело обстоит более-менее благополучно, то создание высокотемпературных устройств компьютерной памяти "буксовало" в силу целого ряда различных причин. И не так давно группе исследователей из Аризонского университета удалось создать опытные образцы ячеек памяти, изготовленных из нитрида галлия, способных работать при температурах от 25 до 300 градусов Цельсия. Данная работа была выполнена в рамках программы HOTTech (Hot Operating Temperature Technology), которая должна обеспечить выполнение будущих исследовательских миссий НАСА на Меркурии и Венере.
Нитрид галлия является подходящим кандидатом на материал для высокотемпературной электроники из-за большой ширины его запрещенной зоны, которая равна 3.4 электрон-вольта. Для сравнения, у кремния, традиционно используемого в современной электронике, ширина запрещенной зона составляет 1.12 электрон-вольта. Малая ширина запрещенной зоны означает, что при повышении температуры электроны начнут спонтанно переходить из валентной зоны в зону проводимости и материал полностью потеряет свои полупроводниковые свойства, делая неработоспособным устройство на его основе.
Большая ширина запрещенной зоны нитрида галлия позволит устройствам на его основе работать при более высоких температурах. И нитрид галлия является не единственным подобным полупроводником, подходящим для создания высокотемпературной электроники, в рамках программы HOTTech НАСА финансирует исследования другого подобного материала - карбида кремния.
Ячейки высокотемпературной памяти были изготовлены путем осаждения материала их паровой фазы на подложку из нитрида галлия. Затем полученная заготовка была обработана методом микрогравировки. После осаждения на подложку нескольких слоев нитрида галлия, некоторые участки был удалены при помощи плазмы и на них был осажден слой другого материала, сформировавший электроды и другие элементы ячеек памяти.
При комнатной температуре устройство демонстрирует устойчивое переключение из одного состояния в другое, соответствующее значению логической 1 или 0. При этом, структура ячейки не подвержена деградации, по крайней мере, ее признаков не было замечено после 1000 циклов переключения. При повышении температуры до 300 градусов Цельсия, ячейка сохранила стабильность и способность к переключению, проработав в таких условиях еще тысячу циклов. Однако, при повышении температуры до 350 градусов, устройство потеряло свои запоминающие способности, которые возвратились при дальнейшем понижении температуры.
В настоящее время исследовательская группа готовится к испытаниям второго варианта их устройства памяти, которое должно сохранять работоспособность уже при температуре в 500 градусов Цельсия. Параллельно с этим ведутся работы, направленные на использование дефектов кристаллов, называемых азотными вакансиями, в качестве активных элементов ячеек памяти. Как только представители НАСА сочтут достаточными характеристики новых устройств высокотемпературной памяти, будут изготовлены опытные образцы чипов, которые пройдут тестирование в специальных помещениях, условия в которых повторяют крайние условия на поверхности Меркурия и Венеры.
Источник: QRZ.RU https://www.qrz.ru/news/15591.html